産業及びマーケット見込み分析

台北市への投資を促進プラン
  本計画の主な目的は「台北市への投資を促進し、台北市の産業と経済の発展をもたらす」ことにあります。台北市が優先的に発展させるべき戦略的な企業と産業誘致を順位付けし、続く企業誘致対象に照準を当てることを目的としています。本計画では「産業プロジェクトデータベース」を構築し、約129個の将来的な産業、をコレクションしています。また台湾のテーマと状況の分析、台湾自身の資質を分析を通した産業発展の潜在能力の分析から「台湾に必要であり」「台北にエネルギーがあり」且つ「産業に効果と利益がある」8つの産業をスクリーニングしました、エマージングテクノロジー、バイオケミカル、クリーンテクノロジー、ロボット、メディアとエンターテインメント、スマートシティ、金融テクノロジー、ベンチャー企業を含む。   ダウンロード   ......
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世界の産業動向 Jan-Mar., 2018
  世界の産業動向 Jan-Mar., 2018 一、情報通信産業 Ø  世界3大IT応用製品の出荷、2017年に予想を上回るも、2018年は減退の見通し 2017年は3大IT応用製品の出荷がいずれも予想を上回った。中でもNB(ノートパソコン)の出荷は2年ぶりのプラスとなった。もっとも、IT応用は依然として減退のすう勢から抜け出せずにいる。2017年の市場の盛況が2018年の出荷圧力につながる可能性があり、2018年は3大IT応用製品の出荷減少が予測される。 2017年の3大IT応用製品の発展を振り返ると、IT製品のスペック更新が続いた。中でもeスポーツ用モニタ装置が比較的急速に伸び、広視野角の受け入れ度合いも高まった。NB市場では狭額縁の応用の導入が加速し、高解像度の普及が引き続き進んだ。これに対して、タブレットはスペック革新という点で際立って注目すべき点がなかった。 出荷状況を見ると、2017年に出荷が増えたのはNBのみで、モニタ装置とタブレットは減退から抜け出せなったものの、3者の出荷状況はいずれも予想を上回った。明らかに世界経済......
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世界の産業動向 Oct.-Dec., 2017
  世界の産業動向 Oct.-Dec., 2017 一、情報通信産業 Ø  シリコンウエハー供給サイドの増産は保守的、シリコンウエハー価格上昇予想の原因に 端末電子製品による半導体関連業務の増加には2つの側面がある。1つ目は端末製品のデータ演算量に対するニーズの増加であり、2つ目は端末製品の機能の複雑さが高まったことである。トレンドフォースの統計によれば、2018年現在、シリコンウエハーの成長を支える規模が最も大きい端末電子製品のうち、スマートフォンの年間成長率は約5%であり、PC(NB/DT/Tablet)市場は小幅減となったが、それ以外の多くは成長傾向を示し、全体的に見ると需要が明らかに伸びている。 ただ、供給サイドについては、SUMCOと傘下の台塑勝高科技がボトルネック解消工事で約13.5万枚を増産したが、世界全体のわずか2.6%を占めるにすぎない。また、中国の上海新昇は12インチ生産能力についての計画があるものの、認証期の検証を経る必要があるため、市場への影響は限定的である。それ以外では、合晶や環球晶圓など多くが8インチ以下の生産......
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世界の産業動向 Aug-Sept., 2017
  世界の産業動向 Aug-Sept., 2017 1.     情報通信産業 Ø  5Gの発展がRFパワーデバイス部品の需要増をけん引  RFフロントエンド(RF Front End)チップは、5G技術の成熟に伴って市場に新たなビジネスチャンスをもたらし、今後RFパワーアンプ(RF PA)の需要が持続的に伸びると予想される。その中で従来型の金属酸化半導体プロセスは窒化ガリウム(Gallium Nitride, GaN)に段階的に置き換わることになる。特に5G技術の下ではより多くのデバイス、より高い周波数をサポートする必要があり、その一方でヒ化ガリウム(GaAs)は相対的に安定して成長すると見込まれる。  新たなRF技術の導入により、RFパワーアンプ(RF PA)は新たなプロセス技術で実現され、このうち窒化ガリウムGaNのRF PAは出力3W以上の主流プロセス技術となる。 Ø  モバイルVRデバイスの発展  モバイルVRデバイスは、2015年から多くのメーカが出現し始めて......
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世界の産業動向 May-July, 2017
  1.    情報通信産業 Ø   新材料の開発が半導体技術の進展の鍵に  現在、半導体チップ[A1] 製造技術の進展には大きく5つの方向性がある。PatterningおよびFEOLは、主にプロセスの微細化により原材料で作られるトランジスタに漏電現象が生じ、トランジスタのパフォーマンス不足などの問題を招いている。一方、プロセスの微細化によりBEOL段階では金属導線の間の間隔も合わせて縮小しなければならず、これまで採用していた絶縁材料の厚さがあまりに薄くなったことで絶縁効果を失う事態となっている。また、先進のパッケージ技術においては、パッケージ材料の品質が不均一で、パッケージの歩留まりや高密集度のICパッケージで生じる放熱材料のニーズに影響している。最後に、Memoryについては、既存の材料が高演算・高容量のメモリのニーズを満たせず、メーカが新材料の導入を考慮せざる得ない状況となっている。 上記の5つの技術について、すう勢をまとめると、新材料の開発・応用が重要な鍵となっているが、半導体チップに......
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